亚阈电流对MOS栅控晶闸管d V/dt抗性的影响

作者：周琪钧; 田冕; 刘超; 陈万军^*

来源：电子与封装, 2020, 20(08): 49-53.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0808

• 脉冲功率系统
• MOS栅控晶闸管
• d V/dt
• 亚阈电流

针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(d V/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管d V/dt抗性的影响,分析了亚阈电流对器件d V/dt抗性的影响机制。研究结果表明,亚阈电流的参与是引起器件d V/dt抗性降低的重要原因,这为提高器件d V/dt抗性设计提供了理论指导。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学