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摘要
本发明公开了一种氮极性面GaN材料及其制作方法,主要解决现有氮极性面GaN材料结晶质量差、表面形貌粗糙、背景载流子浓度高、制作工艺流程复杂等问题。其材料结构,自下而上包括衬底、ScN成核层、氮极性面GaN外延层。其制作步骤为：在衬底基片上,利用分子束外延方法生长厚度为10nm-100nm的ScN成核层；用分子束外延方法,在ScN成核层上生长GaN外延层,完成材料制备。本发明材料结晶质量高,表面形貌光滑,背景载流子浓度低,生长工艺简单,工艺重复性和一致性高,可用于制作高电子迁移率晶体管和微波毫米波单片集成电路。
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