一种含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池及其制备方法

作者：李国强; 张志杰; 刘兴江; 高鹏; 余粤锋; 林静

来源：2019-12-23, 中国, CN201911338917.1.

本发明公开了一种含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池,其结构由下至上依次为的Au背电极、GaAs衬底、CuSCN空穴传输层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池的制备方法。本发明的GaAs太阳电池,不仅制备工艺简单,电池制备成本较低,而且光电转换效率高,能长时间稳定工作。

• 单位
  华南理工大学; 中国电子科技集团公司第十八研究所