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摘要
鉴于高效发光的II-VI族量子点（II-VI QD）电致发光（EL）器件已达到基本的商用需求，器件长期性能（寿命）受到了更多的重视。II-VI QD EL器件中PEDOT:PSS材料易吸湿、易腐蚀ITO电极，这对器件寿命及商业应用潜力存在负面影响。采用高稳定性的NiO代替PEDOT:PSS可避免材料对器件稳定性产生影响。本文系统综述了NiO空穴材料在II-VI QD EL器件中的研究进展，重点归纳了NiO薄膜的不同制备方法、掺杂和界面特性对器件性能的影响。最后，我们对基于金属氧化物空穴功能层的II-VI QD EL器件的研究趋势进行了展望，以期为制备在材料与器件层面稳定、高效的电致发光器件提供借鉴。
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