填充方钴矿热电器件的结构优化设计与性能

作者:张骐昊; 刘睿恒; 廖锦城; 夏绪贵; 王超; 柏胜强; 陈立东*
来源:硅酸盐学报, 2021, 49(02): 211-219.
DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20200584

摘要

基于热电器件全参数设计模型,设计并制备了具有不同拓扑结构的填充方钴矿器件,通过器件仿真模拟结果与实验数据的比对和分析,解析器件结构、界面、连接工艺等对器件输出性能的影响并建立其定量关系;使用批量合成的n型Yb0.3Co4Sb12和p型Ce Fe3.85Mn0.65Sb12填充方钴矿材料制备的单级器件最大转换效率达到9.8%,输出功率密度达1.42 W/cm2。