氧化石墨烯诱导高织构Mo掺杂Bi2Te3薄膜的热电性能

作者：方文强; 朱文艳; 李康银; 斯剑霄^*

来源：浙江师范大学学报(自然科学版), 2022, 45(03): 284-290.

DOI：10.16218/j.issn.1001-5051.2022.03.006

• Bi2Te3薄膜
• 氧化石墨烯
• 取向
• Mo掺杂
• 热电性能

为提高Bi2Te3薄膜的热电性能，采用磁控溅射技术在旋涂有氧化石墨烯(GO)缓冲层的玻璃衬底上共溅制备的Mo掺杂的n型Bi2Te3薄膜.通过对其形貌、组成及热电特性的表征，研究了(0 0 l)择优取向的不同Mo溅射功率(P=0,15,25,35,45 W)对Bi2Te3的热电性能的影响.结果表明：GO缓冲层的存在可以实现高度取向(0 0 l)的Bi2Te3薄膜制备，室温下薄膜迁移率为48 cm25V-15s-1;Mo掺杂有效提高了Bi2Te3薄膜的载流子浓度，使得PMo =25 W时的Bi2Te3薄膜在室温下最大电导率为944 S5cm-1,其在400 K时最大功率因子达到2 074.6μW5m-15K-2.表明氧化石墨烯诱导高织构Mo掺杂可以优化n型Bi2Te3薄膜的热电性能.

• 单位
  浙江师范大学; 电子信息工程学院