羟基磷灰石修饰碳纳米电极制备及其对抗坏血酸的测定

作者：丰明佳; 钱功明; 熊苓雅; 韩荻

来源：分析试验室, 2024, 43(05): 654-659.

DOI：10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2022.122801

• 碳纳米电极
• 羟基磷灰石
• 电化学检测
• 抗坏血酸

通过恒电位沉积法，将纳米羟基磷灰石（HAP）成功修饰到碳纳米电极（CNE）上，制备出一种能快速检测抗坏血酸（AA）的修饰电极（HAP-CNE）。采用循环伏安法（CV）和计时安培法（CA）研究了HAP-CNE电极对AA的检测，考察了多巴胺（DA）和模拟体液pH对电极检测AA的影响。扫描电镜（SEM）结果表明，HAP已经成功修饰于CNE尖端与外壁上。电化学实验表明，与CNE相比，HAP-CNE电极信噪比显著提高，同时AA在HAP-CNE上能发生氧化还原反应，电荷转移速率提高。AA浓度在1×10-5～2×10-3 mol/L范围内与响应电流呈近似线性关系，检出限为1.3×10-7 mol/L。利用HAP-CNE检测AA具有广泛的pH适应性且对DA的抗干扰能力强。该电极是一种潜在原位探针，有望为生物医学研究提供新的检测方法，并成为一种能应用于活体实时检测生物小分子代谢过程的新型传感器。

• 单位
  武汉科技大学