美国研究人员攻克二维沟道材料晶体管实用化关键难题

来源：金属功能材料, 2021, 28(03): 41.

<正>据国防科技信息网5月17日消息,美国麻省理工学院联合美国加州大学伯克利分校、美国劳伦斯伯克利国家实验室、台积电公司和沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学等单位,攻克二维沟道材料晶体管实用化关键难题。近年来,随着晶体管的持续微细化,传导电流的通道越来越窄,需要不断采用高电子迁移率材料。二硫化钼等二维材料是理想的高电子迁移率材料,但将其与金属导线互联时在接触界面会形成肖特基势垒,这种现象会抑制电荷流动。此次研究人员证明,使用半金属铋并结合两种材料