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摘要
针对具有立体结构的绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET),研究了表面淀积50 nm张应力SiN薄膜后SOI FinFET器件的电学特性，并对关键电学参数，如开态电流Ion、电流开关比Ion/Ioff、跨导gm、漏致势垒降低VDIBL和亚阈值摆幅Sss等，进行了深入分析。研究结果表明，应变对栅长较小器件的Ion和Sss有更明显的改善，随着张应力的引入使gm提升，从而显著提高了器件的Ion,且Ion/Ioff较引入前有着2个量级的提升。而gm的提升归结于张应力引入而导致SOI FinFET沟道载流子迁移率的提升。VDIBL和Sss的改善，表明张应力的引入使器件的栅控能力显著提高。
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