Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

作者：李亮; 李忠辉; 董逊; 周建军; 孔月婵; 姜文海; 陈辰

来源：半导体技术, 2008, S1: 136-139.

• AlGaN
• Si掺杂
• 金属有机化学气相淀积
• 蓝宝石衬底
• 外延薄膜

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移,这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。