不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应

作者：张兴尧; 郭旗; 李豫东; 文林

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2018, 16(01): 181-185.

• 铁电存储器
• 总剂量辐射
• 偏置

对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明,将铁电存储器置于不同的偏置条件下,铁电存储器的功能失效阈值不同,原因可能是偏置不同造成了辐射损伤的短板电路模块不同。

• 单位
  新疆理化技术研究所; 中国科学院