采用第一性原理计算方法，通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H2O分子传感性能的有效方法，并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明，-1.0 V/?的外加电场能有效降低H2O分子在单层GeSe的吸附能并使二者之间的电荷转移量增加11倍，显著提高了单层GeSe对H2O分子的响应速度和敏感性.研究结果为进一步设计并制成二维GeSe基湿度传感器提供了理论依据.
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