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摘要
本文基于0.25μmGaNHEMT工艺技术，设计并实现了一款可应用于L波段和S波段的超宽带GaN高效率大功率放大器芯片。该功率放大器芯片采用末级八胞功率合成实现高效率、大功率，采用两级级联放大实现功率增益，采用多支节电抗匹配网络实现低损耗、超宽带匹配。利用电路仿真软件进行芯片电路整体电学参数优化和电磁场仿真，并进行了流片制作，芯片尺寸为4.60mm×3.40mm×0.08mm。采用微波在片测试系统进行微波测试，测试结果表明，该功放芯片在1.2-3.5GHz频率范围内，脉冲饱和输出功率大于25W，功率附加效率大于40%，功率增益大于26dB，满足实际工程应用的需求。
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