基于不同测量手段的纳米晶器件的存储特性

作者：李蔚; 张志刚; 梁仁荣; 何洋; 王柳笛; 朱钧

来源：半导体学报, 2007, 28(8): 1169-1172.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.08.001

• 纳米晶
• 存储
• 测量

对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括+/-BT分析. 揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性. 研究结果表明,高温、大电压摆幅和偏置情况下,器件编程窗口的恶化和阈值电压的漂移与多数载流子的种类有关.

• 单位
  清华大学