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摘要
采用轴向作用伊辛模型结合特殊准随机结构(SQS)计算研究Mg75Sc25和Mg75Ti25合金hcp相的基面层错能,讨论局域原子弛豫、超胞尺寸对层错能的影响。结果表明,局域原子弛豫对MgTi合金层错能影响明显,对MgSc影响不明显。计算得到的层错能均在合理范围内,尺寸较大时SQS模型给出的层错与现有计算值和相干势近似给出的结果非常接近,四种基面层错能的大小关系符合单质hcp金属层错能普遍规律,说明只要SQS模型足够大,并能有效模拟合金的组分无序状态,则SQS模型结合轴向作用伊辛模型能够给出可靠的合金层错能预测值。
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