一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列

作者：刘马良; 孙文博; 郭若昱; 王玉鑫; 杨茂龙; 朱樟明

来源：2020-10-29, 中国, ZL202011181289.3.

本发明公开了一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列,通过改变器件内部阴极N+以及阳极P+的位置,得阴极N+区域变小,阳极P+区域变大,使得有效的光探测区的面积占比更高,提高SPAD器件以及光探测阵列的填充因数。

• 单位
  西安电子科技大学