化学浴沉积法制备Sb掺杂SnS薄膜

作者：夏冬林; 徐俊; 黄波

来源：硅酸盐学报, 2015, 43(12): 1759-1764.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2015.12.14

• 锑掺杂硫化锡薄膜
• 化学浴沉积
• 光电性能
• Hall效应

以氯化亚锡、硫代乙酰胺、三氯化锑为反应物,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上沉积不同锑掺杂量(摩尔分数)硫化锡(Sn S:Sb)膜,研究了锑掺杂量对薄膜晶相结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:锑掺杂Sn S薄膜是具有正交结构多晶薄膜,薄膜为纳米片组装成的花状球形颗粒。随着Sb掺杂量由1.8%增加到7.2%,其相应的禁带宽度从0.93 e V增加到1.30 e V。随着Sb掺杂量的增加,Sn S薄膜的电阻率呈现先下降后增大趋势,当Sb掺杂量为3.6%时,其最小值为5.21×103?·cm。

• 单位
  武汉理工大学; 硅酸盐建筑材料国家重点实验室