多晶硅CMP制程后清洗工艺研究与改善

作者：李儒兴; 程君; 李协吉

来源：集成电路应用, 2021, 38(07): 48-51.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.07.013

• 集成电路制造
• 多晶硅
• 化学机械研磨
• 后清洗
• 线宽
• 自然氧化层

阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清洗过程对多晶硅表面的自然氧化层的生长具有显著的影响,从而成为蚀刻后多晶硅源线线宽(CD)的重要影响因素。探讨了CMP后清洗过程对多晶硅表面状态的影响机制,并通过工艺优化显著改善了这些因素对后续蚀刻工艺的影响,从而实现多晶硅源线线宽的精确控制。