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摘要
本发明涉及一种基于LRC工艺SiGe选择外延致准直接带隙Ge及其制备方法,该方法选取Si衬底；第一温度范围下,在Si衬底表面生长第一Ge籽晶层；第二温度范围下,在第一Ge籽晶层表面生长第二Ge主体层；刻蚀第二Ge主体层形成Ge台阶；在Ge台阶周围生长SiGe层；对Ge台阶进行离子注入以形成基于LRC工艺SiGe选择外延致准直接带隙Ge。本发明的准直接带隙Ge材料是通过采用激光再晶化(Laser#Re#Crystallization,简称LRC)工艺实现,连续激光再晶化工艺选择性高,仅作用于Ge外延层,控制精确,避免了Si#Ge互扩的问题,利用Ge周围选择性外延SiGe引入张应力,制得的准直接带隙Ge材料晶体质量高,大大增强其自发辐射效率,发光效率高,有利于光电子的应用。
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