12～18 GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

作者：孙博文; 王磊; 陈庆; 方堃; 杨漫菲

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17(02): 348-351.

• Ku波段
• 毫米波单片集成电路
• 低噪声放大器
• GaAs工艺

采用GaAs工艺设计了一个12～18GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求。仿真表明:在12～18GHz的工作频带内,噪声系数为1.15～1.41dB,增益为27.9～29.1dB,输出1dB压缩点达到15dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72。

• 单位
  电子工程学院; 电子科技大学