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摘要
针对P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计对60Co和10keV光子的剂量响应差异问题，本文对400nm-PMOS剂量计进行了不同栅压条件下60Coγ射线和10keVX射线的对比辐照试验，并通过中带电压法和电荷泵法分离氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的影响，发现PMOS对10keV光子的响应明显低于60Coγ射线，其中主要的差异来自氧化物陷阱电荷，退火的差异表示不同射线辐照下的陷阱电荷竞争机制不同，不同的分析方法也带来一定差异。通过使用剂量因子和电荷产额修正，减小了剂量响应的差异，同时对响应的微观物理机制进行了解释。通过有效剂量修正和电荷产额修正可以很大程度上减小不同能量的剂量响应差异，为PMOS的低能光子辐射环境应用提供了参考。
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