科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用连续过滤快速横向生长技术,有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度,提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后,测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显示,不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式,但会降低912 cm-1处的晶格振动强度;γ射线辐照诱导缺陷的种类不变,但随着辐照剂量的增大,缺陷浓度增大;晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小。
- 单位
采用连续过滤快速横向生长技术,有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度,提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后,测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显示,不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式,但会降低912 cm-1处的晶格振动强度;γ射线辐照诱导缺陷的种类不变,但随着辐照剂量的增大,缺陷浓度增大;晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小。
