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摘要
本发明公开了一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺,巴伦结构包括硅基片以及依次设置在其上的TSV耦合单元、底部RDL互连线、顶部互连线和接地通孔。TSV耦合单元由TSV两两电容性耦合形成。顶部互连线设置在硅基片的顶部,RDL互连线则设置在硅基片的底部,每段均由两条平行的矩形导体组成。多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径。本发明可用于实现将单端非平衡信号转换为双端平衡输出信号的巴伦电路功能,与现有技术相比具有集成密度更高、垂直互连串扰与噪声更小、可选频率范围广的优点。
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