立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光(英文)

作者：窦庆萍; 陈占国; 贾刚; 马海涛; 曹昆; 张铁臣

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (04): 609-612.

• n型立方氮化硼
• 非线性伏安特性
• 空间电荷限制电流
• 能谷间电子跃迁 n-cBN crystal
• nonlinear I-V characteristics
• space charge limited current
• electronic transition in two valleys

测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.

• 单位
  吉林大学; 牡丹江师范学院; 超硬材料国家重点实验室