梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征

作者：周建; 谢岩; 王德义; 刘桂珍; 李河

来源：西南科技大学学报, 2010, (03): 1-5.

• AZO薄膜
• 梯度掺杂
• Sol-Gel法 AZO thin films
• Gradient doped
• Sol-Gel methods

采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%(原子数百分比)的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰。当薄膜的退火温度在500~650℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2Ω.cm,高于700℃时,薄膜电阻率明显升高。

• 单位
  武汉理工大学; 材料复合新技术国家重点实验室