太赫兹辐射FET功率探测器的分布式准静态模型

作者：张永锋^*; 张淑芳; 王森; 丛国涛

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(03): 214-220.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.03.004

• 分布式准静态模型
• 场效应管
• 太赫兹辐射功率探测器

以经典FET准静态模型为基础，提出了FET分布式准静态模型，并推导出栅源耦合NMOS FET太赫兹辐射功率探测器的微分方程及其解析解。应用该模型计算得到的直流电压响应与集总模型和水动力模型的计算结果一致；与集总模型相比，泄漏长度偏差小于3.5%；与水动力模型相比，输入阻抗偏差小于10%，明显优于集总模型，且新的输入阻抗表达式不包含任何拟合系数，形式更加简单实用。该模型将经典FET准静态模型推广到太赫兹频段，并降低太赫兹频段FET电路仿真工具的开发成本。

• 单位
  大连海事大学; 大连东软信息学院; 电子工程学院