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摘要
红外(IR)探测法与小电流饱和压降UCEON(T)法是两种目前常用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温测量方法,两种方法得到的结温存在区别与联系。针对此问题,此处首先对两种测量方法的基本原理及技术要点进行阐述;然后对基于UCEON(T)法的测温曲线进行标定;最后通过直流脉冲测试对两种结温测试结果进行对比分析。结果表明,IGBT芯片表面的温度分布存在明显的非均匀特性,随着采样点数量的逐渐增多,UCEON(T)法的温度测量结果更加趋近于IR探测法测得的芯片表面平均温度。
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红外(IR)探测法与小电流饱和压降UCEON(T)法是两种目前常用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温测量方法,两种方法得到的结温存在区别与联系。针对此问题,此处首先对两种测量方法的基本原理及技术要点进行阐述;然后对基于UCEON(T)法的测温曲线进行标定;最后通过直流脉冲测试对两种结温测试结果进行对比分析。结果表明,IGBT芯片表面的温度分布存在明显的非均匀特性,随着采样点数量的逐渐增多,UCEON(T)法的温度测量结果更加趋近于IR探测法测得的芯片表面平均温度。
