本发明公开了一种InGaAs-graphene肖特基结太阳电池,由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、石墨烯和顶电极；所述空穴传输层为2,2’,7,7’-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9’-螺二芴薄膜。本发明还公开了上述InGaAs-graphene肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的InGaAs-graphene肖特基结太阳电池不仅制备工艺简单,工艺成本较低,而且光电转换效率高。
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