反应离子刻蚀法（RIE）制备的高效黑硅太阳能电池

作者：刘文峰; 赵增超; 周子游; 黄海龙; 蔡先武

来源：材料科学与工程学报, 2020, 38(06): 880-885.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2020.06.003

• 黑硅
• 太阳电池
• 反射率
• 金刚线切多晶硅片

为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38%,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25%。由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22%,对行业推广低成本的金刚线切硅片有重大意义。

• 单位
  湖南红太阳光电科技有限公司