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摘要
本发明公开了一种二硫化钼薄膜的制备方法,包括以下步骤：通过磁控溅射在衬底上沉积一层二硫化钼薄膜；所述磁控溅射的功率为10W～150W；将所述二硫化钼薄膜置于密封容器中在设定温度下进行硫化；所述设定温度为600℃。本发明在前期通过在薄膜沉积过程中,调节靶材的功率来有效实现薄膜沉积过程中的无序控制,降低预制薄膜的无序度,减少预制薄膜缺陷,然后将溅射在衬底上的二硫化钼薄膜放入密闭容器中在设定温度下进行硫化,以减少预制薄膜的硫空位,提高二硫化钼薄膜的结晶质量,本发明可以制备层数均匀的高质量二硫化钼薄膜。本发明可以广泛应用于薄膜材料技术领域。
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