微旋转结构法测量Al薄膜的残余应力

作者:于映; 丁可柯; 花婷婷; 薄亚明; 张明; 张彤
来源:南京邮电大学学报(自然科学版), 2014, 34(01): 32-40.
DOI:10.14132/j.cnki.1673-5439.2014.01.007

摘要

薄膜的残余应力是影响MEMS器件工作可靠性和稳定性的重要因素,微旋转结构法能够简单有效地测量薄膜的残余应力。文中采用MEMS工艺制作Al薄膜微旋转结构,根据微旋转结构法对Al薄膜的残余应力进行了测量和计算。实验结果表明,溅射Al膜的残余应力为张应力,大小在80110 GPa之间。对Al薄膜悬梁进行静电驱动,其驱动电压为3134 V,与根据Al膜残余应力的测量值所计算出的驱动电压基本吻合。

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