MOSFET器件后道封装测试中寄生电容的影响和解决方案

作者：张昭; 王友彬

来源：中国集成电路, 2020, Z2: 80-85.

• 寄生电容
• 金属氧化物半导体
• 测试失效

随着半导体后道封装测试的要求越来越高,其中对器件的测试判定已经不能简单的区分为"好"与"坏"来满足。后道封装测试应该尽可能实现准确的细化失效参数,从而给失效分析提供更快,更准确的判断。极大缩短从测试失效判定到失效原因分析,以及失效工艺改进的时间。鉴于金属氧化物半导体(MOSFET)的固有寄生电容效应,给后道封测失效判定的准确性带来了一定的挑战。本文通过对金属氧化物半导体器件寄生电容效应的研究,在试验和实际生产中优化了测试项目和顺序,从而有效规避了寄生电容效应对金属氧化物半导体器件失效判定的误导。本文提供了一种准确细化金属氧化物半导体器件封测失效参数的方案。