B、N掺杂4-ZGNR电子输运性质的理论计算

作者：柳福提^*; 张淑华; 程翔; 张声遥

来源：河南师范大学学报(自然科学版), 2019, 47(02): 36-40.

DOI：10.16366/j.cnki.1000-2367.2019.02.006

• 石墨烯纳米带
• 掺杂
• 电子输运

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对锯齿型石墨烯纳米带4-ZGNR掺杂B、N原子的电子输运进行了计算.结果得到在0～1.0V的电压范围内,4-ZGNR及其分别掺杂B、N原子3种纳米器件的电流-电压曲线具有明显的非线性关系;掺杂B、N对4-ZGNR费米能级附近电子的输运起到了一定抑制作用,在一定能量区域的电子存在完全共振背散射;4-ZGNR掺杂B原子后表现出负微分电阻现象.

• 单位
  宜宾学院; 电子工程学院