InN薄膜的氧化特性研究

作者：谢自力; 张荣; 修向前; 刘斌; 朱顺明; 赵红; 濮林; 韩平; 江若琏; 施毅; 郑有炓

来源：Acta Physica Sinica, 2007, (02): 1032-1035.

• InN
• 氧化铟
• 氧化
• X射线衍射

研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性.研究表明,在400℃以下,InN薄膜很难被氧化,而金属In很容易被氧化.因此富In的InN薄膜的氧化在400℃以下主要是金属In的氧化,在400℃以上为金属In和InN的同时被氧化.在400℃以上的氧化过程中,InN的表观氧化速率非常慢,这可能和InN的高温分解有关.InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.

• 单位
  南京大学