介绍了一款V波段超宽带放大器芯片,采用GaAs pHEMT工艺制作。该芯片具有超宽带、高增益、高效率、小尺寸等优点,主要用于射频信号放大。微波在片测试系统对该芯片实际测试结果显示,在50 GHz~66 GHz范围内,小信号增益24 dB~26 dB,1 dB压缩输出功率大于18 dBm,电流小于120 mA,带内输入/输出电压驻波比小于1.4:1,芯片尺寸为3.20 mm×1.40 mm×0.07 mm。