介绍了一款V波段超宽带放大器芯片，采用GaAs pHEMT工艺制作。该芯片具有超宽带、高增益、高效率、小尺寸等优点，主要用于射频信号放大。微波在片测试系统对该芯片实际测试结果显示，在50 GHz～66 GHz范围内，小信号增益24 dB～26 dB，1 dB压缩输出功率大于18 dBm，电流小于120 mA，带内输入/输出电压驻波比小于1.4:1，芯片尺寸为3.20 mm×1.40 mm×0.07 mm。
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