无压烧结碳化硅在高温熔融Na2SO4中的腐蚀行为(英文)

作者：史晓光; 代书信; 李炳生; 刘海勇; 李朋; 周洁; 黄庆; 闵永安; 葛芳芳

来源：陶瓷学报, 2021, 42(04): 569-576.

DOI：10.13957/j.cnki.tcxb.2021.04.005

• 碳化硅
• 腐蚀
• 晶界

将无压烧结碳化硅(SiC)样品放入氩气(Ar)气氛中,于900°C-1000℃的熔融硫酸钠环境中进行浸泡实验。通过扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱(EDS)、X射线衍射(XRD)及拉曼光谱等测试对样品的显微结构与成分演变进行了分

• 单位
  中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 上海大学; 西南科技大学