水热法制备花状NiCo2O4及其电化学性能研究

作者:柯稳; 王会强*; 田志平; 马强; 张天博; 刘军
来源:现代化工, 2021, 41(03): 116-119.
DOI:10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2021.03.023

摘要

以氯化镍、氯化钴为原料,采用水热法和后续煅烧处理过程制备纳米片组装的3D类花状NiCo2O4。利用XRD、SEM等手段对合成的样品进行物相组成、形貌结构表征,并利用电化学工作站对其进行循环伏安、恒直流充放电和交流阻抗等性能测试。结果表明,制备出的3D花状结构NiCo2O4由多个纳米片组装而成,各单一纳米片的厚度为40~70 nm,并且纳米片上分布着微孔,可以增大电极与电解液的接触面积。NiCo2O4电极材料在电流密度1 A/g的条件下的比电容为508 F/g;在电流密度8 A/g的条件下经过3 000次循环后,其比电容保持率为98.5%,表明花状结构表现出高比电容以及良好的循环稳定性。

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