深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法

作者：李康; 郝跃; 刘红侠; 方建平; 薛鸿民

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (11): 124-129.

• HCI
• 时变栅电流模型
• BSIM3v3
• 可靠性仿真 HCI
• time-dependent gate current
• BSIM3v3
• reliability simulation

研究了深亚微米pMOS器件HCI(hotcarrierinjection)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.

• 单位
  西安电子科技大学