本征GaAs中电子自旋极化的能量演化研究

作者：滕利华; 余华梁; 左方圆; 文锦辉; 林位株; 赖天树

来源：Acta Physica Sinica, 2008, (10): 6598-6603.

• 圆偏振光抽运-探测光谱
• 吸收量子拍
• 电子自旋极化度
• GaAs circularly polarized pump-probe spectroscopy
• absorption quantum beat
• degree of electron spin polarization
• GaAs

采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究9.6 K温度下本征GaAs中电子自旋相干弛豫动力学,发现反映电子自旋相干的吸收量子拍的振幅随光子能量的增加呈非单调性变化.考虑自旋极化依赖的带填充效应和带隙重整化效应,发展了圆偏振光抽运-探测光谱的理论模型.该模型表明量子拍的振幅依赖于所探测能级的电子初始自旋极化度,自旋探测灵敏度以及带填充因子,三者的乘积导致了量子拍振幅的非单调变化,与实验结果一致.给出了能级分裂的二能级系统中电子自旋极化度定义.发现在高能级上可以获得100%的初始电子自旋极化度.

• 单位
  中山大学; 光电材料与技术国家重点实验室