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摘要
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件的电场分布,降低了高场区的电场峰值,从而降低器件关断时的泄漏电流。该埋层使得栅漏之间的横向沟道电场分布更加均匀,提高了器件的击穿电压。通过Sentaurus TCAD仿真发现,N型GaN埋层可以明显改善器件的击穿电压。相比于传统结构530 V的击穿电压,新结构的击穿电压达到了892 V,提高了68%。此外,N型GaN埋层没有影响到器件的导通特性,使得器件保留了低的特征导通电阻。以上结果说明,该结构在功率器件领域具有良好的应用前景。
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