1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

作者：唐道远; 李晓良

来源：半导体技术, 2009, (06): 543-545.

• 应变补偿多量子阱
• 超辐射发光管
• 台面
• 湿法腐蚀
• 感应耦合等离子体 SC-MQW
• SLD
• mesa
• wet etching
• inductive coupled plasma(ICP)

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院研究生院