通过插层Cu实现SnSe2的高效热电性能

作者：李彩云; 何文科; 王东洋; 张潇^*; 赵立东^*

来源：Acta Physica Sinica, 2021, 70(20): 374-382.

• SnSe2
• 热电性能
• Cu插层
• 各向异性

具有层状结构的SnSe展现出非常优异的热电性能. SnSe2与其具有相似结构,但较低的电传输性能导致SnSe2热电性能表现不佳,本征SnSe2在773 K下最大ZT值仅约0.09.本文在Br掺杂提升SnSe2载流子浓度的基础上,通过熔融法结合放电等离子烧结(SPS)技术合成了一系列成分为SnSe1.98Br0.02–y%Cu (y=0,0.50, 0.75, 1.00)的块体材料,研究了在具有层间范德瓦耳斯力结合的SnSe2材料中引入额外的Cu对其电传输性能的协同优化作用:一方面,引入的Cu不仅能提供额外的电子,而且能稳定存在于范德瓦耳斯层间隙并形成插层结构,促进层间和层内的电荷传输,从而实现载流子浓度和迁移率的协同优化;另一方面, Cu的动态掺杂特性,使得高温下载流子浓度的增加弥补了因散射作用导致的迁移率的降低,促使样品在高温下仍然保持高电传输特性.研究结果表明,在300 K下, SnSe2沿平行和垂直于SPS烧结方向(//P,⊥P)的功率因子(PF)分别从本征的约0.65和0.98μW·cm–1·K–2提高到SnSe1.98Br0.02–0.75%Cu的约10和19μW·cm–1·K–2.最终,在773 K下,沿⊥P方向的最大ZT值达到约0.8.此研究表明SnSe2是一种很具发展潜力的热电材料.

• 单位
  北京航空航天大学