在新型活泼衬底上外延生长GaN薄膜及其界面反应控制

作者：李国强; 王文梁

来源：中国仪表功能材料学会、重庆材料研究院、哈尔滨工业大学、《功能材料》期刊社, 中国黑龙江哈尔滨.

• GaN
• LEDs
• 新型衬底
• 界面反应
• 外延生长

通过对比蓝宝石衬底与几种非常规衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了研究非常规衬底的重要意义;并详细介绍了在非常规衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及氮化物半导体器件的应用研究,特别是基于非常规衬底的研究起到很好的指导意义。

• 单位
  华南理工大学; 材料科学与工程学院; 发光材料与器件国家重点实验室