退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响

作者：唐永旭; 李瑶; 冯琳; 刘治君; 刘兴钊

来源：电子元件与材料, 2011, (11): 19-21.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2011.11.002

• Cr-Si-Ni-Ti
• 压阻薄膜
• 电阻温度系数
• 应变因子
• 电阻率 Cr-Si-Ni-Ti
• piezoresistive film
• temperature coefficient of resistance
• gauge factor
• electrical resistivity

采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜,研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响。结果表明:在溅射态及退火温度低于600℃时,薄膜为非晶态。随着退火温度的升高,薄膜的电阻温度系数(TCR)逐渐增大,应变因子(GF)先增大后减小,室温电阻率(ρ)则逐渐降低。在退火温度为300℃时,Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜的电性能最好:TCR为–1.1×10–6/℃,GF为2.2,ρ为0.662?.cm。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学