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摘要
硅化镍(NiSi)因具备低硅耗、低电阻率、低热预算、没有明显线宽效应等特性,被广泛应用于源漏极接触部分和栅极与金属的接触部分中。工艺中,加热条件的变化会导致生成不同的Ni基硅化物,均一性也会根据加热方式产生变化,影响器件的性能。对先导工艺中Ni基硅化物在不同工艺流程里不同的固相反应进行了对比分析,研究了低温浸入式退火加高温尖峰退火以及低温浸入式退火加高温激光退火这两种方法对生成Ni基硅化物的影响,发现硅化物电阻值主要取决于低温浸入式退火的温度,硅化物均一性主要取决于高温退火方式。该研究结果对实际工艺加工有参考作用。
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单位中芯国际集成电路制造有限公司; 中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所
