摘要

本发明公开了一种增强纳米银薄膜导电性的方法,在纳米银薄膜制备纳米铜薄膜作为底膜,制备时采用真空蒸发镀膜的方法。本发明通过沉积纳米铜底膜增强了纳米银薄膜的导电性,方法简单、易于实现。