利用碳等离子体热处理方法在钨金属和单晶硅片表面制备站立式石墨烯

作者：成亦飞; 罗飞; 刘大博; 周海涛; 田野; 胡春文; 罗炳威^*

来源：金属热处理, 2020, 45(07): 139-143.

DOI：10.13251/j.issn.0254-6051.2020.07.028

• W金属
• WC
• SiC
• 等离子体
• 石墨烯

利用等离子体热处理方法,分别在W金属和单晶Si基底表面直接制备了站立式石墨烯。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对获得的样品进行了结构和成分的表征,并用硬度计对样品表面硬度进行了测量。结果表明,在W金属和单晶Si基底表面分别形成了成分为W2C-WC/石墨烯和SiC/石墨烯的复合层,且均匀的分布在相应的基底上。W2C-WC/石墨烯复合层制备成功后,金属W的表面硬度为502.95 HV0.01,与纯金属W基底的硬度450.41 HV0.01相比,表面硬度增加52.54 HV0.01,提高了11.6%; Si C/石墨烯复合层制备成功后,Si C/石墨烯表层的硬度为836.76 HV0.025,与单晶Si基底的硬度812.74 HV0.025相比,表面硬度增加24.02 HV0.025,提高了2.95%。

• 单位
  中国航发北京航空材料研究院