基于数值模拟对硒化锑薄膜电池内缺陷类型的研究

作者：陈媛婧; 王酉杨; 胡小波; 陶加华; 陈少强

来源：中国可再生能源学会光化学专业委员会（Photochemistry Committee of Chinese Renewable Energy Society）, 中国北京, 2020-05-28.

DOI：10.26914/c.cnkihy.2020.006551

• 硒化锑
• 薄膜太阳能电池
• 缺陷类型
• SCAPS数值模拟

近年来,硒硫化锑薄膜太阳电池作为一种很有潜力的新材料电池发展迅速[1,2],但存在效率依然较低的问题。缺陷是导致其效率低的重要因素之一,而目前关于硒硫化锑电池内缺陷的性质及其影响效率损失的机理研究却很欠缺。本课题组前期利用导纳法确定了硒化锑电池中的三种缺陷并命名为D1、D2和D3 [3,4]。本工作利用太阳能电池数值模拟工具SCAPS对硒化锑薄膜电池内部三种缺陷D1、D2、D3对电池的作用进行了研究,并研究了三种缺陷分别作为体缺陷和界面缺陷对电池的影响。通过与实际的电池效率(5.91%[3],7.5%[4])进行对比,结果发现D3作为界面缺陷时,同时D1和D2作为体缺陷时模拟的结果能够与实验结...

• 单位
  华东师范大学