3-巯基丙基三甲氧基硅烷插层氧化石墨烯的硅烷化研究

作者：杜伟; 汪晓巧; 王双^*

来源：广东化工, 2023, 50(18): 12-14.

• 氧化石墨烯
• 3-巯基丙基三甲氧基硅烷
• 硅烷化
• 插层
• 表面

本文报告了在不同硅烷化反应时间下，通过3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)对氧化石墨烯(GrapheneOxide,GO)插层并表面硅烷化。通过X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、热重分析(TGA)和扫描电子显微镜(SEM)对所得产物(MPTS-GO)进行了表征。实验结果表明MPTS-GO的Si含量随着硅烷化时间的增加而减少，当硅烷化时间大于24 h时，所制备的MPTS-GO样品中的Si含量几乎相同。当硅烷化时间大于24 h时，GO硅烷化基本完成。本文提出，在插层硅烷化后，GO有序的层状结构被打乱，MPTS主要通过Si-O键与GO表面的羟基反应相连接。末端具有“自由”巯基的MPTS-GO可用于进一步的组装及性能研究。

• 单位
  江苏大学