金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长

作者：杨光义; 吴仁兵; 陈建军; 高明霞; 翟蕊; 吴玲玲; 林晶; 潘颐

来源：浙江大学学报(工学版), 2007, (06): 1042-1046.

• 碳化硅单晶
• 液相法
• 晶体生长
• 过渡族金属硅化物
• 碳化硅晶须 SiC single crystal
• liquid phase technique
• crystal growth
• transition metal-silicon
• SiC whisker

以过渡族金属硅化物为溶剂,采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征,利用X射线衍射仪(XRD)对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征,并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明,Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶,FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须,而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后,仅有石墨相析出.

• 单位
  浙江大学